Технические характеристики Транзистор IGBT H30PR5 (IHW30N135R5) 1350V, 30А, TO247
- Состояние товара :
- новое
Особенности и функции:
- IGBT-транзисторы или биполярные транзисторы с изолированным затвором, в которых, в отличии от классического биполярного транзистора, инжекция носителей в базу осуществляется не р_n переходом база -эмиттер, а полевым транзистором с изолированным затвором.
- Суть его работы заключается в том, что полевой транзистор управляет мощным биполярным. В результате переключение мощной нагрузки становиться возможным при малой мощности, так как управляющий сигнал поступает на затвор полевого транзистора.
- Одной из важных сфер использования данного транзистора – это использование в сетях с напряжением 6,5 кВ для создания безопасной и гарантированно надежной работы электроустановок в режиме короткого замыкания.
Технические параметры:
- Наличие встроенного диода да
- Максимальное напряжение КЭ ,В 1350
- Максимальный ток КЭ при 25°C, A 60
- Импульсный ток коллектора (Icm), А 90
- Напряжение насыщения при номинальном токе, В 1.95
- Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 330
- Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс 310
- Рабочая температура (Tj), °C -40…+175
- Вес, г 7.5
ВКонтакте
YouTube
Telegram